aod403是P沟道增强型MOS场效应管，在工作时，它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同，在电路设计中较为方便，在高速、低功耗电路中广泛应用。

　　漏源击穿电压：30V

　　漏源电流：85A

　　耗散功率：2.5W

　　输入电容：5300pF（15V）

　　栅源电压：±25V

　　工作温度：-55°C~175°C

　　安装类型：表面贴装

　　封装：TO-252

　　主板供电场效应管 nRFP30P06 -60V 30A nSHD -60V 50A nSSD40P04-20D -40V 36A nAOD403 -30V -85A nAP40P03GH -30V -30A nAP6679H -30V -75A nFDD6637 -35V -55AnNDB6030PL -30V -30A n以及P100P03 ，D50P03，SPB80P06P，IRFR5305，APM3020P，CED95P04nn买相同封装外形的即可。 n或者：nIRF4905S - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) ;