漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。 以N沟道增强型MOS管为例： 当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象； 当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。 以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。

　　其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本，根据其自身特性进行具体分析。