lr8726 mos管最大承受的电压是30V。

　　lr8726是N沟道增强型mos管，内阻5.8毫欧，导通电压VGS = 10V。

　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。