IGBT管压降检测电路的原理是利用电路中的电阻和电压测量技术，通过检测IGBT管的压降来判断电路中的故障点。

　　电路中通过串联电阻和电容，使得开关管正常工作时电容充电，电路电压稳定，当电路出现故障时，电容不再充电，电路电压下降，通过检测电路两端的电压差来判断故障点。

　　IGBT是—种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定，当栅射电压UCE为正且大于开启电压UCE（th）时，MOSFET内形成沟道并为PNP型晶体管提供基极电流进而使IGBT导通，此时，从P+区注入N-的空穴（少数载流子）对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可知，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。

　　①当UCE为负时：J3结处于反偏状态，器件呈反向阻断状态。

　　②当uCE为正时：UC< UTH，沟道不能形成，器件呈正向阻断状态；UG>UTH，绝缘门极下形成N沟道，由于载流子的相互作用，在N-区产生电导调制，使器件正向导通。