EOS失效是在EOS事件发生后，由于过热导致芯片失效。过热是芯片内部连接电阻发热的结果。在低电阻路径中，在EOS事件期间经历的高电流会产生局部的高温，从而对芯片结构造成破坏性损坏。

　　EOS事件需要满足下列条件：

　　（1）低电压，＜100V，峰值电流高；（2）高能量，事件作用时间通常大于1ms。

　　EOS表现方式是过压或者过流产生大量的热能，使元器件内部温度过高从而损坏元器件。