【性能 参数】

　　灯丝电压（Uf）=2.8V;

　　灯丝电流（If）=0.05A;

　　第一栅极电压（Ug1）-4.5V;

　　跨导（S）=2.15mA/V;

　　内阻（Ri）=0.1MΩ.

　　(应用数据)

　　（A类单端放大）阳极电压（Ua）=90V;

　　阳极电流（Ia）=9.5mA;

　　第一栅极驱动信号电压（Ug1rms）=3.3V;

　　第二栅极电压（Ug2）=90V;

　　第二栅极电流（Ig2）=2.1mA;

　　阳极负载阻抗（ZL）=10kΩ;

　　输出功率（Po）=0.24W.

　　NPN三极管

　　集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W

　　集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A

　　集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V

　　集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V

　　集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA

　　集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA

　　特征频率（fT）：300 MHz

　　直流放大系数（hFE）：≥30

　　芯片材质：硅

　　3p4电子管是低频功率放大器。

　　参数：

　　1.灯丝电压＝2.8V；2.灯丝电流＝0.05A；

　　3.第一栅机电压＝－4.5V；

　　4.跨导＝2.15mA／V

　　5.内阻＝0.1M欧